ALD工藝氣體傳輸控制柜
原子層沉積（Atomic Layer Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)ALD）是一種精密的薄膜沉積技術(shù)，能夠在納米尺度下實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面進(jìn)行單原子層級(jí)別的精確控制和生長(zhǎng)。ALD工藝氣體傳輸控制柜是專(zhuān)門(mén)用于ALD工藝過(guò)程中，確保氣體穩(wěn)定、精確和安全傳輸?shù)脑O(shè)備。該控制柜通過(guò)高精度控制，保證氣體流量、壓力和溫度的準(zhǔn)確調(diào)節(jié)，以滿(mǎn)足ALD工藝對(duì)氣體供應(yīng)的嚴(yán)格要求。
咨詢(xún)專(zhuān)家
-
產(chǎn)品特點(diǎn)
-
產(chǎn)品參數(shù)
-
質(zhì)量管理
產(chǎn)品特點(diǎn)
高精度流量控制
采用高精度氣體質(zhì)量流量控制器，能夠精確控制反應(yīng)氣體進(jìn)入反應(yīng)腔，從而確保工藝穩(wěn)定性
采購(gòu)快速氣動(dòng)閥，實(shí)現(xiàn)氣體快速切換，從而實(shí)現(xiàn)工藝穩(wěn)定
安全穩(wěn)定性
氣柜配有門(mén)互鎖開(kāi)關(guān)、壓力安全開(kāi)關(guān)、單向閥等安全部件保證氣柜安全
設(shè)備采用防爆、防腐等設(shè)計(jì)，提高了設(shè)備的安全性能
高氣密性
產(chǎn)品采用IGS和VCR接口形式
實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的高氣密性
高潔凈度
采用高精度過(guò)濾器
去除3nm以上的顆粒雜質(zhì)
安全認(rèn)證
通過(guò)SEMI S6測(cè)試安全認(rèn)證
產(chǎn)品參數(shù)
| 外漏測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-11/mbar·L/s |
| 內(nèi)漏測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-9/mbar·L/s |
| 保壓測(cè)試50psi | 氮?dú)獗簻y(cè)試，保壓12h，壓降 ≤1% |
| 氦爆測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-9/mbar·L/s;（可選） |
| 顆粒測(cè)試 | (5 particle @ >0.1um) |
| 水氧測(cè)試 | 水含量≤10PPB，氧含量≤10PPB；（可選） |
質(zhì)量管理
富創(chuàng)質(zhì)量管理秉承"好的質(zhì)量是設(shè)計(jì)、制造出來(lái)的"為原則,關(guān)注客戶(hù)端到端的質(zhì)量服務(wù),從研發(fā)、設(shè)計(jì)、過(guò)程全生命周期質(zhì)量管理關(guān)注各環(huán)節(jié)中入口質(zhì)量、過(guò)程質(zhì)量、出口質(zhì)量,以保證整體質(zhì)量可控,最終構(gòu)建成以以預(yù)防為主的質(zhì)量文化,助力客戶(hù)產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力。
