EPI工藝氣體傳輸控制柜
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，硅外延工藝也在不斷優(yōu)化和創(chuàng)新。未來(lái)，硅外延工藝可能會(huì)朝著更高的純度、更大的晶體尺寸、更低的缺陷密度等方向發(fā)展，以滿足高性能半導(dǎo)體器件的制造需求。硅外延作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體制造工藝，對(duì)于提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要意義。硅外延工藝氣體傳輸控制柜是半導(dǎo)體制造中不可或缺的設(shè)備之一，它通過(guò)精確控制氣體的流量、壓力和純度，為外延生長(zhǎng)提供穩(wěn)定的氣體環(huán)境，從而確保外延層的高質(zhì)量、均勻性。
咨詢專家
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產(chǎn)品特點(diǎn)
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產(chǎn)品參數(shù)
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質(zhì)量管理
產(chǎn)品特點(diǎn)
高精度流量控制
通過(guò)精確的閥門系統(tǒng)、流量控制器、壓力控制器，實(shí)現(xiàn)對(duì)特種氣體的精確傳輸和控制，確保氣體流量、壓力等參數(shù)的穩(wěn)定性
安全穩(wěn)定性
氣柜配有門互鎖開(kāi)關(guān)、壓力安全開(kāi)關(guān)、單向閥、火焰報(bào)警器等安全部件保證氣柜安全。同時(shí)，設(shè)備采用防爆、防腐等設(shè)計(jì)，提高了設(shè)備的安全性能
高氣密性
產(chǎn)品采用IGS和VCR接口形式實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)備的高氣密性
高潔凈度
采用高精度過(guò)濾器能夠去除3nm以上的顆粒雜質(zhì)
安全認(rèn)證
通過(guò)SEMI S6測(cè)試安全認(rèn)證
產(chǎn)品參數(shù)
| 外漏測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-11/mbar·L/s |
| 內(nèi)漏測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-9/mbar·L/s |
| 保壓測(cè)試50psi | 氮?dú)獗簻y(cè)試, 保壓12h,壓降 ≤1% |
| 氦爆測(cè)試漏率 | ≤1.0X10-9/mbar·L/s;（可選） |
| 顆粒測(cè)試 | (5 particle @ >0.1um) |
| 水氧測(cè)試 | 水含量≤10PPB，氧含量≤10PPB；（可選） |
質(zhì)量管理
富創(chuàng)質(zhì)量管理秉承"好的質(zhì)量是設(shè)計(jì)、制造出來(lái)的"為原則,關(guān)注客戶端到端的質(zhì)量服務(wù),從研發(fā)、設(shè)計(jì)、過(guò)程全生命周期質(zhì)量管理關(guān)注各環(huán)節(jié)中入口質(zhì)量、過(guò)程質(zhì)量、出口質(zhì)量,以保證整體質(zhì)量可控,最終構(gòu)建成以以預(yù)防為主的質(zhì)量文化,助力客戶產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力。
